siliciumcarbide (SiC) is elektrisch geleidend, maar de geleidbaarheid kan variëren afhankelijk van de dotering en de specifieke vorm van SiC. SiC is een halfgeleider, wat betekent dat de elektrische geleidbaarheid ervan kan worden gecontroleerd door onzuiverheden (dotering) in de kristalstructuur te introduceren.
Er zijn verschillende soorten SiC-kristallen, zoals n-type en p-type:
N-type SiC: Doping met elementen zoals fosfor of stikstof introduceert extra elektronen, waardoor de geleidbaarheid wordt verbeterd.
P-type SiC: Doping met elementen zoals aluminium of boor kan "gaten" (positieve ladingsdragers) creëren die ook bijdragen aan de elektrische geleiding.
